BLDC fährt Feld-Effekt-Transistor-Energie Mosfet IPB017N10N5 Infineon
Spezifikationen
Produkt-Modell:
STB24N60DM2
Lieferanten-Paket:
TO-263-7
Kurzbeschreibung:
OptiMOS
Transistorpolarität:
N-Kanal
Verwendungsgebiete:
Anwendungen wechseln
Herstelldatum:
Innerhalb eines Jahres
Markieren:
BLDC fährt Feld-Effekt-Transistor
,Feld-Effekt-Transistor-Energie Mosfet
,IPB017N10N5
Einleitung
Produktpalette
- Feld-Effekt-Transistor-Halbleiter IPB017N10N5 Infineon treiben Mosfet-Transistoren an
- Mosfet-N-Kanal 600 V, 0,175-Ohm-Art 18 ein Energie MDmesh DM2 MOSFET in D2PAK-Paket
App-Eigenschaften
- Ideal für Heißtauschen- und Esicherungsanwendungen
- niedriger Aufwiderstand RDS (an)
- Breites sicheres Geschäftsfeld SOA
- N-Kanal, normales Niveau
- Lawine 100% prüfte
- Pb-freeplating; RoHS konform
- Qualifiziert entsprechend JEDEC1) für Zielanwendungen
- Halogen-frei entsprechend IEC61249-2-21
Grundlegende Daten
Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
---|---|
Infineon | |
Produkt-Kategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Si | |
SMD/SMT | |
TO-263-7 | |
N-Kanal | |
1 Kanal | |
100 V | |
180 A | |
1,5 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
2,2 V | |
210 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
375 W | |
Verbesserung | |
OptiMOS | |
Spule | |
Schneiden Sie Band | |
MouseReel | |
Marke: | Infineon Technologies |
Konfiguration: | Einzeln |
Abfallzeit: | 27 ns |
Vorwärtstransconductance - Minute: | 132 S |
Produkt-Art: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 23 ns |
Reihe: | OptiMOS 5 |
Fabrik-Satz-Quantität | 1000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistor-Art: | 1 N-Kanal |
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 80 ns |
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 33 ns |
Teil # angenommener Name: | IPB017N10N5LF SP001503850 |
Stückgewicht: | 0,056438 Unze |
DOWNLOAD-DATENBLATT
Anwendung
- Zugeschaltete Anwendungen
- BLDC-Motoren
- Dreiphasendauermagnetsynchronmotoren
- Inverter
- Halbbrücke-Fahrer
- Roboterkontrollsysteme
- Geräte
- Gitterinfrastruktur
- EPOS • Haupt-theate
- Stromnetze
- Kommunikationen/Vernetzungs-Infrastruktur
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