IGBT CoolMOS Transistor Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A des Energie-getrennter Halbleiter-SPW35N60C3
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Produkt-Modell:
NGTB40N120SWG
Lieferanten-Paket:
TO247-3
Kurzbeschreibung:
IGBT-CoolMOS
Produkt-Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Verwendungsgebiete:
Ladestapel
Herstelldatum:
Innerhalb eines Jahres
Markieren:
Energie-getrennter Halbleiter
,SPW35N60C3
,Transistor Mosfet IGBT
Einleitung
Produktpalette
- Getrennter Halbleiter SPW35N60C3 IGBT CoolMOS MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3
App-Eigenschaften
- Neue revolutionäre Hochspannungstechnik
- Ultra niedrige Torgebühr
- Periodische Lawine veranschlagte
- Extremes dv /dt veranschlagte
- Ultra niedrige effektive Kapazitanzen
- Verbesserter Transconductance
Grundlegende Daten
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| Infineon | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Si | |
| Durch Loch | |
| TO-247-3 | |
| N-Kanal | |
| 1 Kanal | |
| 600 V | |
| 34,6 A | |
| 100 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,1 V | |
| 150 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 313 W | |
| Verbesserung | |
| CoolMOS | |
| Rohr | |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Konfiguration: | Einzeln |
| Abfallzeit: | 10 ns |
| Vorwärtstransconductance - Minute: | 36 S |
| Höhe: | 21,1 Millimeter |
| Länge: | 16,13 Millimeter |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 5 ns |
| Reihe: | CoolMOS C3 |
| 240 | |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor-Art: | 1 N-Kanal |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 70 ns |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 10 ns |
| Breite: | 5,21 Millimeter |
| Teil # angenommener Name: | SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 |
| Stückgewicht: | 0,211644 Unze |
DOWNLOAD-DATENBLATT
- Getrennter Halbleiter SPW35N60C3 IGBT CoolMOS MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3
Anwendung
- Weitverbreitet im Stadium, Konzert, Netzkommunikation, Smartphones-Tablet-Laptop-Notizbuch-Stromadapter-Kameras Dongle
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