Getrennte Halbleiterbauelemente Mosfet STP110N8F6 für das Schalten von Anwendungen
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Produkt-Modell:
STP110N8F6
Lieferanten-Paket:
TO-220-3
Kurzbeschreibung:
Leistungs-MOSFET
Transistorpolarität:
N-Kanal
Verwendungsgebiete:
Anwendungen wechseln
Herstelldatum:
Innerhalb eines Jahres
Markieren:
Getrennte Halbleiterbauelemente
,Mosfet getrennt
,STP110N8F6
Einleitung
Produktpalette
- Zugeschaltete Anwendungen IDiscrete-Halbleiter-Transistoren MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6
- Mosfet-N-Kanal 80 V, 0,0056 Ω Art., 110 A, STripFET™ F6 T0-220
App-Eigenschaften
- Sehr niedriger Aufwiderstand
- niedrige Torgebühr
- Hohe Lawinenrauhheit
- Niedriger Torgetriebeleistungsabfall
- Dieses Gerät ist ein N-Kanal Energie MOSFET sich entwickelte unter Verwendung der Technologie STripFET™ F6 mit einer neuen Grabentorstruktur. Der resultierende Energie MOSFET weist sehr niedriges RDS (an) in allen Paketen auf.
Grundlegende Daten
| Produkteigenschaft | Attribut-Wert |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Produkt-Kategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Si | |
| Durch Loch | |
| TO-220-3 | |
| N-Kanal | |
| 1 Kanal | |
| 80 V | |
| 110 A | |
| 6,5 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,5 V | |
| 150 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 200 W | |
| Verbesserung | |
| STripFET | |
| Rohr | |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Konfiguration: | Einzeln |
| Abfallzeit: | 48 ns |
| Höhe: | 15,75 Millimeter |
| Länge: | 10,4 Millimeter |
| Produkt-Art: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 61 ns |
| Reihe: | STP110N8F6 |
| 1000 | |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor-Art: | 1 N-Kanal-Energie MOSFET |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: | 162 ns |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit: | 24 ns |
| Breite: | 4,6 Millimeter |
| Stückgewicht: | 0,068784 Unze |
DOWNLOAD-DATENBLATT
- N-Kanal 80 V, 0,0056 Ω Art., 110 A, Energie STripFET™ F6 MOSFET in einem Paket TO-220
Anwendung
- Zugeschaltete Anwendungen
- BLDC-Motoren
- Dreiphasendauermagnetsynchronmotoren
- Inverter
- Halbbrücke-Fahrer
- Roboterkontrollsysteme
- Geräte
- Gitterinfrastruktur
- EPOS • Haupt-theate
- Stromnetze
- Kommunikationen/Vernetzungs-Infrastruktur
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Chip Diagram
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Negotiable