Effekt-Transistor FET SOT23 N des Feld-AO3160 Mosfet Kanal
Effekt-Transistor des Feld-AO3160
,Feld-Effekt-Transistor FET
,Mosfet Kanal SOT23 N
Effekt-Transistor-Dioden-Thyristoren FET-Transistoren MOSFETs N-CH 20V 6.5A SOT23 des Feld-AO3416
- Das AO3160 wird unter Verwendung eines modernen Hochspannungs-MOSFET-Prozesses fabriziert, der entworfen ist, um hohe Stufen der Leistung und der Robustheit in populären AC-DC Anwendungen zu liefern. Indem man niedriges RDS (an) zur Verfügung stellt, können Ciss und Crss zusammen mit garantierter Lawinenfähigkeit dieses Gerät in die neuen und vorhandenen Offlinestromversorgungsentwürfe schnell angenommen werden.
Interne Teilnummer | AO3160 | |
Bleifreier Status/RoHS-Status | Bleifrei/RoHS konform | |
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) | |
Produktions-Status (Lebenszyklus) | In der Produktion | |
Bedingung | Neu u. unbenutzt, ursprüngliches versiegelt | |
Andere in Verbindung stehende Dokumente | AOS-Grün-Politik | |
Standardpaket | 6.000 | |
Kategorie | Getrennte Halbleiter-Produkte | |
Familie | FETs - einzeln | |
Reihe | - | |
Verpacken | Band u. Spule (TR) | |
Fet-Art | Mosfet-N-Kanal, Metalloxid | |
Fet-Eigenschaft | Standard | |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 600V | |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 40mA (Ta) | |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 500 Ohm @ 16mA, 10V | |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 3.2V @ 8µA | |
Tor-Gebühr (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V | |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) @ Vds | 15pF @ 25V | |
Macht- maximales | 1.39W | |
Befestigung der Art | Oberflächenberg | |
Paket/Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Lieferanten-Gerät-Paket | SOT-23-3 | |
Gewicht | 0,001 KILOGRAMM | |
Anwendung | E-Mail für Details | |
Alternatives Teil (Ersatz) | AO3160 | |
Verwandte Links | AO3, AO3160 Datenblatt, Alpha & Omega Semiconductor Inc.-Verteiler |
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