Nachricht senden
Zu Hause > Products > Feldeffekttransistor > PD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-Chip

PD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-Chip

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
PD20015-E
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
TRANSPORT-RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Einleitung

PD20015-E Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Transistor-Art LDMOS
Frequenz 2GHz
Gewinn 11dB
Spannung - Test 13.6V
Gegenwärtige Bewertung 7A
Rauschmaß -
Gegenwärtig - Test 350mA
Leistungsabgabe 15W
Spannung - bewertet 40V
Paket/Fall PowerSO-10RF stellte untere Auflage heraus (2 gebildete Führungen)
Lieferanten-Gerät-Paket PowerSO-10RF (gebildete Führung)
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

PD20015-E Verpacken

Entdeckung

PD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-ChipPD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-ChipPD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-ChipPD20015-E Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-Chip

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable