Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-Chip des Feld-MRF8P20160HSR5
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
MRF8P20160HSR5
Hersteller:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
Fet-RF 2CH 65V 1.92GHZ
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Einleitung
Spezifikationen MRF8P20160HSR5
| Teil-Status | Veraltet |
|---|---|
| Transistor-Art | LDMOS (Doppel) |
| Frequenz | 1.92GHz |
| Gewinn | 16.5dB |
| Spannung - Test | 28V |
| Gegenwärtige Bewertung | - |
| Rauschmaß | - |
| Gegenwärtig - Test | 550mA |
| Leistungsabgabe | 37W |
| Spannung - bewertet | 65V |
| Paket/Fall | NI-780S-4 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | NI-780S-4 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken MRF8P20160HSR5
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable