TPH3206LDGB-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
TPH3206LDGB
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
CASCODE GAN FET 600V 17A PQFN88
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung
TPH3206LDGB-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | GaNFET (Gallium-Nitrid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 600V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 17A (Tc) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.6V @ 500µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 760pF @ 480V |
Vgs (maximal) | ±18V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 96W (Tc) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
Betriebstemperatur | -55°C | 175°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | PQFN (8x8) |
Paket/Fall | 3-PowerDFN |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable