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TK16E60W5, S1VX-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
TK16E60W5, S1VX
Hersteller:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
DTMOSIV
Einleitung

TK16E60W5, S1VX-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 600V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 15.8A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4.5V @ 790µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1350pF @ 300V
Vgs (maximal) ±30V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 130W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 230 mOhm @ 7.9A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220
Paket/Fall TO-220-3
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

TK16E60W5, S1VX Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
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