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IRFSL11N50APBF-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
IRFSL11N50APBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung

IRFSL11N50APBF-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 500V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 11A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 51nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1426pF @ 25V
Vgs (maximal) -
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 190W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket TO-262-3
Paket/Fall Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

IRFSL11N50APBF Verpacken

Entdeckung

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