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IRFS41N15DPBF-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
IRFS41N15DPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
HEXFET®
Einleitung

IRFS41N15DPBF-Spezifikationen

Teil-Status Nicht für neue Entwürfe
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 150V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 41A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 5.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 110nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 2520pF @ 25V
Vgs (maximal) ±30V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 3.1W (Ta)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket D2PAK
Paket/Fall TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

IRFS41N15DPBF Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable