IRFS41N15DPBF-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
IRFS41N15DPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
HEXFET®
Einleitung
IRFS41N15DPBF-Spezifikationen
Teil-Status | Nicht für neue Entwürfe |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 150V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 41A (Tc) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 5.5V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Vgs (maximal) | ±30V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 3.1W (Ta) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C | 175°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | D2PAK |
Paket/Fall | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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MOQ:
Negotiable