STU10NM60N-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
STU10NM60N
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
MDmesh™ II
Einleitung
STU10NM60N-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 600V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 10A (Tc) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 4V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 540pF @ 50V |
Vgs (maximal) | ±25V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 70W (Tc) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Durch Loch |
Lieferanten-Gerät-Paket | Ich-PAK |
Paket/Fall | Führungen des Kurzschluss-TO-251-3, IPak, TO-251AA |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable