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Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-SQ4850EY-T1_GE3 einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
SQ4850EY-T1_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
Automobil, AEC-Q101, TrenchFET®
Einleitung

Spezifikationen SQ4850EY-T1_GE3

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 60V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 12A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1250pF @ 25V
Vgs (maximal) ±20V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 6.8W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 22 mOhm @ 6A, 5V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket 8-SO
Paket/Fall 8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken SQ4850EY-T1_GE3

Entdeckung

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