CSD17576Q5B-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
CSD17576Q5B
Hersteller:
Texas Instruments
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Reihe:
NexFET™
Einleitung
CSD17576Q5B-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 30V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 100A (Ta) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1.8V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 4430pF @ 15V |
Vgs (maximal) | ±20V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 2 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | 8-VSON (5x6) |
Paket/Fall | 8-PowerTDFN |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable