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NVTFS5811NLTAG-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
NVTFS5811NLTAG
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung

NVTFS5811NLTAG-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 40V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 16A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.2V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1570pF @ 25V
Vgs (maximal) ±20V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 6,7 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket 8-WDFN (3.3x3.3)
Paket/Fall 8-PowerWDFN
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

NVTFS5811NLTAG Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable