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RW1E014SNT2R-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
RW1E014SNT2R
Hersteller:
Rohm-Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung

RW1E014SNT2R-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 30V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 1.4A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.5V @ 1mA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 1.4nC @ 5V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 70pF @ 10V
Vgs (maximal) ±20V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 700mW (Ta)
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket 6-WEMT
Paket/Fall SOT-563, SOT-666
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

RW1E014SNT2R Verpacken

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable