RW1E014SNT2R-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
RW1E014SNT2R
Hersteller:
Rohm-Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung
RW1E014SNT2R-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 30V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.5V @ 1mA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 1.4nC @ 5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 70pF @ 10V |
Vgs (maximal) | ±20V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 700mW (Ta) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | 6-WEMT |
Paket/Fall | SOT-563, SOT-666 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable