Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs des Feld-2N7002E-T1-GE3 einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
2N7002E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Einleitung
Spezifikationen 2N7002E-T1-GE3
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 60V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 240mA (Ta) |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.5V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 21pF @ 5V |
Vgs (maximal) | ±20V |
Fet-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (maximal) | 350mW (Ta) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Lieferanten-Gerät-Paket | TO-236 |
Paket/Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken 2N7002E-T1-GE3
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable