Infineon Technologies Mosfet-Einzel-IGBT-Leistungsmodultransistoren 600 V, 23 A, 100 W, IRG4BC30UDPBF
IRG4BC30UDPBF
,Einzelnes IGBT-Energie-Modul
,IGBT-Energie-Modul 23A
IRG4BC30UDPBF IGBT-Leistungsmodultransistoren IGBTs einzeln
IRG4BC30UDPBF-Spezifikationen
| Teilestatus | Aktiv |
|---|---|
| IGBT-Typ | - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 23A |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) | 92A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,1 V bei 15 V, 12 A |
| Leistung max | 100W |
| Energie wechseln | 380µJ (ein), 160µJ (aus) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate-Gebühr | 50 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C | 40ns/91ns |
| Testbedingung | 480 V, 12 A, 23 Ohm, 15 V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Durchgangsloch |
| Paket/Koffer | TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB |
| Sendung | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Zustand | Neue Originalfabrik. |
IRG4BC30UDPBF Verpackung
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