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Energie-Modul-Transistoren IGBTs NGTB40N120IHRWG IGBT einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
NGTB40N120IHRWG
Hersteller:
AUF Halbleiter
Beschreibung:
IGBT 1200V 80A 384W TO247
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung

NGTB40N120IHRWG-Spezifikationen

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art Graben-Feld-Halt
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 1200V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 80A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 120A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.55V @ 15V, 40A
Macht- maximales 384W
Zugeschaltete Energie 950µJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 225nC
TD (AN/AUS) @ 25°C -/230ns
Testbedingung 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Paket/Fall TO-247-3
Lieferanten-Gerät-Paket TO-247
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

NGTB40N120IHRWG Verpacken

Entdeckung

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