Nachricht senden
Zu Hause > produits > IGBT-Leistungsmodul > Energie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzeln

Energie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
IKD04N60RF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Reihe:
TrenchStop®
Einleitung

IKD04N60RF-Spezifikationen

Teil-Status Veraltet
IGBT-Art Graben
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 8A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 12A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.5V @ 15V, 4A
Macht- maximales 75W
Zugeschaltete Energie 110µJ
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 27nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 12ns/116ns
Testbedingung 400V, 4A, 43 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 34ns
Betriebstemperatur -40°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Lieferanten-Gerät-Paket PG-TO252-3
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

IKD04N60RF Verpacken

Entdeckung

Energie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IKD04N60RF IGBT einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable