Energie-Modul-Transistoren IGBTs STGB15M65DF2 IGBT einzeln
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
verhandelbar
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
STGB15M65DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
SE DES GRABEN-TOR-FIELD-STOPP IGBT M
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
Spezifikationen STGB15M65DF2
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| IGBT-Art | Graben-Feld-Halt |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 650V |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 30A |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 60A |
| Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2V @ 15V, 15A |
| Macht- maximales | 136W |
| Zugeschaltete Energie | 90µJ (an), 450µJ (weg) |
| Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | 45nC |
| TD (AN/AUS) @ 25°C | 24ns/93ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 12 Ohm, 15V |
| Rückgenesungszeit (trr) | 142ns |
| Betriebstemperatur | -55°C | 175°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
| Lieferanten-Gerät-Paket | D2PAK |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken STGB15M65DF2
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable