GT10G131 (TE12L, Q) IGBT-Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
GT10G131 (TE12L, Q)
Hersteller:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Beschreibung:
IGBT 400V 1W 8-SOIC
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
GT10G131 (TE12L, Q) Spezifikationen
| Teil-Status | Veraltet |
|---|---|
| IGBT-Art | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 400V |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | - |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 200A |
| Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.3V @ 4V, 200A |
| Macht- maximales | 1W |
| Zugeschaltete Energie | - |
| Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | - |
| TD (AN/AUS) @ 25°C | 3.1µs/2µs |
| Testbedingung | - |
| Rückgenesungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 8-SOIC (0,173", 4.40mm Breite) |
| Lieferanten-Gerät-Paket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable