GT10J312 (Q) IGBT-Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Teilnummer:
GT10J312 (Q)
Hersteller:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Beschreibung:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
GT10J312 (Q) Spezifikationen
| Teil-Status | Veraltet |
|---|---|
| IGBT-Art | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600V |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 10A |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 20A |
| Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 10A |
| Macht- maximales | 60W |
| Zugeschaltete Energie | - |
| Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | - |
| TD (AN/AUS) @ 25°C | 400ns/400ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Rückgenesungszeit (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | TO-220SM |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable