Energie-Modul-Transistoren IGBTs IRG7CH35UEF IGBT einzeln
Spezifikationen
Teilnummer:
IRG7CH35UEF
Hersteller:
Infineon-Technologien
Beschreibung:
ULTRASCHNELLE IGBT 1200V STERBEN
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung
IRG7CH35UEF-Spezifikationen
Teil-Status | Veraltet |
---|---|
IGBT-Art | - |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 1200V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | - |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | - |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 1.6V @ 15V, 5A |
Macht- maximales | - |
Zugeschaltete Energie | - |
Eingegebene Art | Standard |
Tor-Gebühr | 85nC |
TD (AN/AUS) @ 25°C | 30ns/160ns |
Testbedingung | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C | 175°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | Sterben Sie |
Lieferanten-Gerät-Paket | Sterben Sie |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
IRG7CH35UEF Verpacken
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable