Nachricht senden
Zu Hause > Products > IGBT-Leistungsmodul > Energie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzeln

Energie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
IXYP20N65C3D1M
Hersteller:
IXYS
Beschreibung:
IGBT 650V 18A 50W TO220
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Reihe:
GenX3™, XPT™
Einleitung

IXYP20N65C3D1M Specifications

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art Pint
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 650V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 18A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 105A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.5V @ 15V, 20A
Macht- maximales 50W
Zugeschaltete Energie 430µJ (an), 350µJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 30nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 19ns/80ns
Testbedingung 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 30ns
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Paket/Fall TO-220-3
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220AB
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

IXYP20N65C3D1M Packaging

Entdeckung

Energie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzelnEnergie-Modul-Transistoren IGBTs IXYP20N65C3D1M IGBT einzeln

Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable