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RJH60D7BDPQ-E0#T2 IGBT Energie-Modul-Transistoren IGBTs einzeln

Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Hersteller:
Renesas-Elektronik Amerika
Beschreibung:
IGBT 600V 90A 300W TO-247
Kategorie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Familie:
Transistoren - IGBTs - einzeln
Einleitung

Spezifikationen RJH60D7BDPQ-E0#T2

Teil-Status Aktiv
IGBT-Art Graben
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 90A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) -
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.2V @ 15V, 50A
Macht- maximales 300W
Zugeschaltete Energie 700µJ (an), 1.4mJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr 125nC
TD (AN/AUS) @ 25°C 60ns/180ns
Testbedingung 300V, 50A, 5 Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigung der Art Durch Loch
Paket/Fall TO-247-3
Lieferanten-Gerät-Paket TO-247
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken RJH60D7BDPQ-E0#T2

Entdeckung

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MOQ:
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