APT50GT60BRDQ2G IGBT-Modul mit isoliertem Gate-Bipolartransistor Microsemi Corporation 50GT60
APT50GT60BRDQ2G
,Isolierschichtbipolar transistor IGBT
,IGBT-Isolierschichtbipolar transistor
Energie-Modul-Transistoren IGBTs APT50GT60BRDQ2G IGBT einzeln
APT50GT60BRDQ2G-Spezifikationen
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| IGBT-Art | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600V |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 110A |
| Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 150A |
| Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.5V @ 15V, 50A |
| Macht- maximales | 446W |
| Zugeschaltete Energie | 995µJ (an), 1070µJ (weg) |
| Eingegebene Art | Standard |
| Tor-Gebühr | 240nC |
| TD (AN/AUS) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Rückgenesungszeit (trr) | 22ns |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Durch Loch |
| Paket/Fall | TO-247-3 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | TO-247 [B] |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik |
APT50GT60BRDQ2G Verpacken
In Verbindung stehende Teile für APT50GT60BRDQ2G
| STM32G031G6U6 | STM32G031G6U6 | TJA1021T/20 |
| TJA1021T/20 | TJA1021T/20 | AM4378BZDN100 |
| AM4378BZDN100 | AM4378BZDN100 | AD8338ACPZ |
| AD8338ACPZ | AD8338ACPZ | TPS62060DSG |
| TPS62060DSG | TPS62060DSG | STM32F429 |
| STM32F429 | STM32F429 | TPS62133RGTR |
| TPS62133RGTR | TPS62133RGTR | LM1117MPX-ADJ/NOPB |
| LMR33630BDDAR | LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR |
| LM1117MPX-ADJ/NOPB | REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 |
| REF5050AIDGKR | IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR |
| IPC100N04S5-1R9 | SN74AHC1G125DBVR | MAX9737ETG+T |
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Ich empfehle in hohem Grade diesen Verkäufer für jedermann, das schaut, um elektronische Bauelemente zu kaufen. Die Preise sind wettbewerbsfähig und das Verschiffen war schnell und leistungsfähig. Die Produkte, die ich empfing, waren genau, wie beschrieben, und ich bin mit meinem Kauf sehr erfüllt.16. April 2019
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