APT65GP60L2DQ2G IGBT-Leistungsmodultransistor 600 V 198 A 833 W TO264 Microsemi Corporation 65GP60
APT65GP60L2DQ2G
,IGBT-Energie-Modul 198A
,IGBT-Energie-Modul 833W
APT65GP60L2DQ2G IGBT-Leistungsmodultransistoren IGBTs einzeln
APT65GP60L2DQ2G Spezifikationen
| Teilestatus | Nicht für neue Designs |
|---|---|
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 198A |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,7 V bei 15 V, 65 A |
| Leistung max | 833W |
| Energie wechseln | 605 µJ (ein), 895 µJ (aus) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate-Gebühr | 210 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C | 30ns/90ns |
| Testbedingung | 400 V, 65 A, 5 Ohm, 15 V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Durchgangsloch |
| Paket/Koffer | TO-264-3, TO-264AA |
| Gerätepaket des Lieferanten | - |
| Sendung | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Zustand | Neue Originalfabrik |
APT65GP60L2DQ2G Verpackung
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| AM4378BZDN100 | AM4378BZDN100 | AD8338ACPZ | TPS62060DSG | STM32F429 |
| AD8338ACPZ | AD8338ACPZ | TPS62060DSG | STM32F429 | TPS62133RGTR |
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