NAND256W3A0BN6E-Gedächtnis IC-Chip
Spezifikationen
Teilnummer:
NAND256W3A0BN6E
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Beschreibung:
IC-BLITZ 256MBIT 50NS 48TSOP
Kategorie:
Gedächtnis
Familie:
Gedächtnis
Einleitung
NAND256W3A0BN6E-Spezifikationen
Teil-Status | Veraltet |
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Gedächtnis-Format | BLITZ |
Gedächtnis-Art | BLITZ - NAND |
Speicherkapazität | 256M (32M x 8) |
Geschwindigkeit | 50ns |
Schnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 2,7 V | 3,6 V |
Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TA) |
Paket/Fall | 48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite) |
Lieferanten-Gerät-Paket | 48-TSOP |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
NAND256W3A0BN6E Verpacken
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable