MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Gedächtnis IC-Chip
Spezifikationen
Teilnummer:
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Beschreibung:
IC-BLITZ
Kategorie:
Gedächtnis
Familie:
Gedächtnis
Einleitung
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Spezifikationen
Teil-Status | Eingestellt am Digi-Schlüssel |
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Gedächtnis-Format | Multi-Chip (FLASH/RAM) |
Gedächtnis-Art | D-RAM FLASH/LPDDR2 |
Speicherkapazität | 4G (128M x 32) (NAND), 2G (64M x 32) (LPDDR2) |
Geschwindigkeit | 533MHz |
Schnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -25°C | 85°C (TA) |
Paket/Fall | - |
Lieferanten-Gerät-Paket | - |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Verpacken
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable