Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-SI1026X-T1-GE3
Spezifikationen
Teilnummer:
SI1026X-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
Spezifikationen SI1026X-T1-GE3
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal 2 (Doppel) |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 60V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 305mA |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 1,4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2.5V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 30pF @ 25V |
Macht- maximales | 250mW |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferanten-Gerät-Paket | SC-89-6 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken SI1026X-T1-GE3
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable