Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-SI1967DH-T1-GE3
Spezifikationen
Teilnummer:
SI1967DH-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
TrenchFET®
Einleitung
Spezifikationen SI1967DH-T1-GE3
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | P-Kanal 2 (Doppel) |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 20V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 1.3A |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 490 mOhm @ 910mA, 4.5V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 4nC @ 8V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 110pF @ 10V |
Macht- maximales | 1.25W |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferanten-Gerät-Paket | SC-70-6 (SOT-363) |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken SI1967DH-T1-GE3
Entdeckung
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable