SSM6L36FE, LM-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Spezifikationen
Teilnummer:
SSM6L36FE,LM
Hersteller:
Toshiba-Halbleiter und -speicher
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
SSM6L36FE, LM-Spezifikationen
Teil-Status | Aktiv |
---|---|
Fet-Art | N und P-Kanal |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 20V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 500mA, 330mA |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1V @ 1mA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 46pF @ 10V |
Macht- maximales | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferanten-Gerät-Paket | ES6 (1.6x1.6) |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable