Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen des Feld-IRF5852
Spezifikationen
Teilnummer:
IRF5852
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
HEXFET®
Einleitung
Spezifikationen IRF5852
Teil-Status | Veraltet |
---|---|
Fet-Art | N-Kanal 2 (Doppel) |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 20V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 2.7A |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 1.25V @ 250µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 400pF @ 15V |
Macht- maximales | 960mW |
Betriebstemperatur | - |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 |
Lieferanten-Gerät-Paket | 6-TSOP |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
Verpacken IRF5852
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable