APTM50HM65FT3G-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
APTM50HM65FT3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Einleitung
APTM50HM65FT3G-Spezifikationen
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal 4 (H-Brücke) |
| Fet-Eigenschaft | Standard |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 500V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 51A |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 78 mOhm @ 25.5A, 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 5V @ 2.5mA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Macht- maximales | 390W |
| Betriebstemperatur | -40°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Fahrgestelle-Berg |
| Paket/Fall | SP3 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | SP3 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable