APTM100H45SCTG-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Teilnummer:
APTM100H45SCTG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
ENERGIE-MOS 7®
Einleitung
APTM100H45SCTG-Spezifikationen
| Teil-Status | Aktiv |
|---|---|
| Fet-Art | N-Kanal 4 (H-Brücke) |
| Fet-Eigenschaft | Standard |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 18A |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 540 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 5V @ 2.5mA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Macht- maximales | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Fahrgestelle-Berg |
| Paket/Fall | SP4 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | SP4 |
| Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
| Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
APTM100H45SCTG Verpacken
Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable