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power mosfet transistor

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Halbleiter treiben Kanal STB24N60DM2 Mosfet-Transistor-N an

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BLDC fährt Feld-Effekt-Transistor-Energie Mosfet IPB017N10N5 Infineon

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Stromkreis-Schutz-Energie Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1

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Infineon Technologies Mosfet-Einzel-IGBT-Leistungsmodultransistoren 600 V, 23 A, 100 W, IRG4BC30UDPBF

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Getrennte Halbleiterbauelemente Mosfet STP110N8F6 für das Schalten von Anwendungen

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Getrennte Halbleiter IRFS3207ZTRRPBF n-Kanal-Feld-Effekt-Transistor Mosfet

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Getrennte Halbleiter-Transistoren IRFB4110PBF für Stromkreis-Schutz

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SMD-/SMT-Feld-Effekt-Transistor Chip Circuit Protection IRF8736TRPBF 30V 18A

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IGBT CoolMOS Transistor Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A des Energie-getrennter Halbleiter-SPW35N60C3

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AO4266E Feldwirkungstransistor N-Kanal 60V 11A Mosfet Einzeloberflächenhalter SOP8

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BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandRFQ
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FDC6327C-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen

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FDME1034CZT-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen

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NTJD5121NT1G-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen

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